RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
10.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2503
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Team Group Inc. 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link