RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
33
Por volta de 27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
33
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
10.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
8.4
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2503
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link