RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3519
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link