RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3519
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link