RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3792
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link