RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
30
Por volta de 20% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.6
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.6
12.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
30
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
15.6
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3792
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB Comparações de RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU5-GN-F 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link