RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3933
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link