RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3933
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link