RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
31
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3895
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link