RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
18.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3990
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link