RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
36
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
36
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2664
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link