RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
49
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
49
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2534
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link