RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Porównaj
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
59
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
59
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2123
2181
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 99P5474-013.A00LF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre DDR4-8GB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link