RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
36
Около 25% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
36
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
15.0
Скорость записи, Гб/сек
7.3
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
2664
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link