RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
36
Около 19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
15.0
Скорость записи, Гб/сек
12.0
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
2664
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston DT3B122GX4GBV-800I 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G133381 2GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link