RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston DT3B122GX4GBV-800I 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston DT3B122GX4GBV-800I 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston DT3B122GX4GBV-800I 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
91
Около 74% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5600
Около 3.43% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston DT3B122GX4GBV-800I 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,091.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston DT3B122GX4GBV-800I 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR2
Задержка в PassMark, нс
24
91
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
3,796.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
2,091.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
5600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC2-5600, SSTL 1.8V, CAS Supported:
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
751
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston DT3B122GX4GBV-800I 4GB Сравнения RAM
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link