RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston DT3B122GX4GBV-800I 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston DT3B122GX4GBV-800I 4GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

24 91

Rund um 74% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 5600

Rund um 3.43% höhere Bandbreite

Gründe für die Berücksichtigung
Kingston DT3B122GX4GBV-800I 4GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

3 16

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

2,091.8 12.5

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Kingston DT3B122GX4GBV-800I 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC2-5600, SSTL 1.8V, CAS Supported:
Timings / Taktgeschwindigkeit

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2925 751

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns