Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston DT3B122GX4GBV-800I 4GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

総合得点

Kingston DT3B122GX4GBV-800I 4GB

Kingston DT3B122GX4GBV-800I 4GB

相違点仕様コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

24 91

周辺 74% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 5600

周辺 3.43% 高帯域

Kingston DT3B122GX4GBV-800I 4GB

考慮すべき理由
Kingston DT3B122GX4GBV-800I 4GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

3 16

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

2,091.8 12.5

テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Kingston DT3B122GX4GBV-800I 4GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR2
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

24 91
読み出し速度、GB/s

16.0 3,796.3
書き込み速度、GB/秒

12.5 2,091.8
メモリ帯域幅、mbps

19200 5600

Other

商品説明

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC2-5600, SSTL 1.8V, CAS Supported:
タイミング / クロック速度

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz no data
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2925 751

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

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