RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston DT3B122GX4GBV-800I 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston DT3B122GX4GBV-800I 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston DT3B122GX4GBV-800I 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
91
Wokół strony 74% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5600
Wokół strony 3.43% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston DT3B122GX4GBV-800I 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,091.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston DT3B122GX4GBV-800I 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
24
91
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
3,796.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
2,091.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
5600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC2-5600, SSTL 1.8V, CAS Supported:
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
751
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston DT3B122GX4GBV-800I 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link