Porównanie pamięci RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston DT3B122GX4GBV-800I 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston DT3B122GX4GBV-800I 4GB

Wynik ogólny

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

24 91

Wokół strony 74% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 5600

Wokół strony 3.43% większa szerokość pasma

Powody do rozważenia
Kingston DT3B122GX4GBV-800I 4GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

3 16

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

2,091.8 12.5

Średnia wartość w badaniach

Pełna lista specyfikacji technicznych

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Kingston DT3B122GX4GBV-800I 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC2-5600, SSTL 1.8V, CAS Supported:
Taktowanie / szybkość zegara

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2925 751

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns