RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston DT3B122GX4GBV-800I 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston DT3B122GX4GBV-800I 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Kingston DT3B122GX4GBV-800I 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
91
Autour de 74% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5600
Autour de 3.43% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Kingston DT3B122GX4GBV-800I 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,091.8
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston DT3B122GX4GBV-800I 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR2
Latence dans PassMark, ns
24
91
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
3,796.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
2,091.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
5600
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC2-5600, SSTL 1.8V, CAS Supported:
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
751
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston DT3B122GX4GBV-800I 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston DT3B122GX4GBV-800I 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link