RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3701
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link