RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
49
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2929
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link