RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3704
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link