RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
40
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
40
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2100
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-1600 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link