RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
4152
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link