RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
24
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3665
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link