RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
35
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
35
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3336
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link