RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
24
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.1
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
17
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
22.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
18.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3847
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link