RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
24
Por volta de -41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.1
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.0
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
17
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
22.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
18.0
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3847
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link