RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
14
24
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
25.1
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
14
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
25.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
19.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
4182
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link