RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
14
24
Около -71% меньшая задержка
Выше скорость чтения
25.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.3
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
14
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
25.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
19.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4182
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link