RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
14
24
Около -71% меньшая задержка
Выше скорость чтения
25.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.3
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
14
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
25.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
19.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4182
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kllisre 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link