RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
24
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
21
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
19.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
4293
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F3-1600C10-8GSQ 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link