RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
67
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
67
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2042
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link