RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
59
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2464
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link