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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
59
左右 -90% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.7
2,123.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
31
读取速度,GB/s
4,833.8
15.5
写入速度,GB/s
2,123.3
9.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2464
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
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