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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
比较
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
总分
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
总分
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
58
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.3
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
58
读取速度,GB/s
10.1
16.3
写入速度,GB/s
7.1
12.2
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1484
2591
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
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