RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2346
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link