RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 25
    Около 4% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16 left arrow 15.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 11.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 17000
    Около 1.13% выше полоса пропускания
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Причины выбрать
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 25
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 15.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 11.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 2346

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
модули RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
модули RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
модули RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
модули RAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
модули RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
модули RAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
модули RAM
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
модули RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
модули RAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
модули RAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
модули RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
модули RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
модули RAM