RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
58
Около 48% меньшая задержка
Причины выбрать
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.5
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
58
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
17.4
Скорость записи, Гб/сек
6.8
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2125
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link