RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2901
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link