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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
28
Intorno 14% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
11.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
28
Velocità di lettura, GB/s
16.0
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
25600
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2901
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
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