RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3866
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link