RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3866
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link