RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3866
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link