RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
35
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
35
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3331
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link