RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3331
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
OCZ OCZ2P11502G 2GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link