RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
103
Wokół strony 77% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
103
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1520
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link