RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
77
Wokół strony -120% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2768
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ASU1333D3S9DR8/2G 2GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link