RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3158
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link