RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
9.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
38
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
35
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
9.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2211
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link