RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2419
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A3000C12 4GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link